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원자층 진공 증착 장비(Atomic Layer Deposition)

ALD 반응 메카니즘

ALD 반응 메카니즘

ALD 장점

ALD 장점
 

증착 균일성 비교

증착 균일성 비교
증착 균일성 비교 그래프
 

타 증착 장비간 비교

  CVD ALD
Step coverage Good(~70%) Excellent(~95%)
Deposition temp < 400℃ < 400℃
Deposition reaction surface reaction + Gas phase reaction surface reaction
Particle · Good
Contamination 5~3 at%(C,O) < 1at%
Thickness control Depend on Gas flow rate, temp, Time, etc Good(Depend on # of Cycle)
Repeatability OK Good
Compostion Bad Good
 

ALD 기술 개요

ALD 반응 메카니즘

ALD 반응 메카니즘

CVD는 분자 단위로 성막
ALD는 원자 단위로 번갈아 성막

ALD 와 CVD공정 비교

기술 CVD ALD
구분 ALD 반응 메카니즘 ALD 반응 메카니즘
특징 + 기판 접합성 좋음
+ 박막 도포성 우수
+ 박막 도포성 우수
+ 박막 두께조절 용이
+ 불순물 오염정도 낮음