ALD

원자층 진공 증착 장비(Atomic Layer Deposition)

ALD 반응 메카니즘

ALD 장점

증착 균일성 비교

타 증착 장비간 비교

	CVD	ALD
Step coverage	Good(~70%)	Excellent(~95%)
Deposition temp	< 400℃	< 400℃
Deposition reaction	surface reaction + Gas phase reaction	surface reaction
Particle	·	Good
Contamination	5~3 at%(C,O)	< 1at%
Thickness control	Depend on Gas flow rate, temp, Time, etc	Good(Depend on # of Cycle)
Repeatability	OK	Good
Compostion	Bad	Good

ALD 기술 개요

ALD 반응 메카니즘

CVD는 분자 단위로 성막
ALD는 원자 단위로 번갈아 성막

ALD 와 CVD공정 비교

기술	CVD	ALD
구분
특징	+ 기판 접합성 좋음 + 박막 도포성 우수	+ 박막 도포성 우수 + 박막 두께조절 용이 + 불순물 오염정도 낮음

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