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ALD는 순차적인 반응가스 투입 및 잔류물 제거로 정밀한 두께/조성 제어 및 Confirmal하고
뛰어난 증착 균일성의 장점
이 있으나, 증착 속도가 느린 단점이 존재합니다.
 
  • ALD 반응 메카니즘

    ALD 반응 메카니즘
  • ALD 장점

    ALD 장점
  • 증착 균일성 비교

    증착 균일성 비교
  •  

    타 증착 장비간 비교

      Sputter LPCVD MOCVD ALD
    Step
    coverage
    Bad Excellent
    (~90%)
    Good
    (~70%)
    Excellent
    (~95%)
    Deposition
    temp.
    Room temp > 600 ℃ > 300 ℃ < 300 ℃
    Deposition
    reaction
    Physical
    deposition
    Surface reaction
    + Gas phase
    Surface reaction
    + Gas phase
    Surface
    reaction
    Particle Good Good
    Contamination < 1at% 2 ~5 at% (C) 5 ~ 30 at% (C,O) < 1at%
    Thickness
    control
    Bad Good Good Excellent
    Repeatability Good OK OK Good
    Composition Good Bad Bad Good
    Growth Rate Good Good Good Bad
    증착 속도 그래프