ALD는 순차적인 반응가스 투입 및 잔류물 제거로 정밀한 두께/조성 제어 및 Confirmal하고
뛰어난 증착 균일성의 장점이 있으나, 증착 속도가 느린 단점이 존재합니다.
뛰어난 증착 균일성의 장점이 있으나, 증착 속도가 느린 단점이 존재합니다.
ALD 반응 메카니즘
ALD 장점
증착 균일성 비교
타 증착 장비간 비교
| Sputter | LPCVD | MOCVD | ALD | |
|---|---|---|---|---|
| Step coverage |
Bad | Excellent (~90%) |
Good (~70%) |
Excellent (~95%) |
| Deposition temp. |
Room temp | > 600 ℃ | > 300 ℃ | < 300 ℃ |
| Deposition reaction |
Physical deposition |
Surface reaction
+ Gas phase |
Surface reaction
+ Gas phase |
Surface reaction |
| Particle | Good | • | • | Good |
| Contamination | < 1at% | 2 ~5 at% (C) | 5 ~ 30 at% (C,O) | < 1at% |
| Thickness control |
Bad | Good | Good | Excellent |
| Repeatability | Good | OK | OK | Good |
| Composition | Good | Bad | Bad | Good |
| Growth Rate | Good | Good | Good | Bad |
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